3月30日，記者從西安電子科技大學(xué)獲悉，該校胡輝勇教授團(tuán)隊(duì)成功研制出基于硅鍺工藝的單光子雪崩二極管（SPAD）芯片，將短波紅外探測技術(shù)的制造成本大幅降低。這項(xiàng)突破讓原本單顆動(dòng)輒數(shù)千美元的高端芯片，有望以百分之一的成本進(jìn)入智能手機(jī)、車載激光雷達(dá)等領(lǐng)域。

短波紅外技術(shù)具備穿透霧霾、在黑夜中清晰成像的能力，還可識別不同物質(zhì)的材質(zhì)特征。它在智能手機(jī)暗光拍照、車載激光雷達(dá)、工業(yè)無損檢測等領(lǐng)域擁有廣闊前景。但長期以來，主流方案多采用銦鎵砷材料，雖然性能出色，卻受限于昂貴的磷化銦襯底，難以與硅基CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝兼容，單顆芯片成本動(dòng)輒數(shù)百至數(shù)千美元。

胡輝勇團(tuán)隊(duì)選擇了一條與現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高度契合的技術(shù)路線——硅鍺。他們利用硅鍺外延工藝平臺完成材料生長，再借助標(biāo)準(zhǔn)硅基CMOS工藝平臺制備探測器件，將探測范圍拓展至短波紅外波段。“這意味著，我們是在用造手機(jī)芯片的成本，去做過去只有‘天價(jià)’才能實(shí)現(xiàn)的短波紅外探測器。”王利明說。

不過，硅與鍺的原子排列周期之間存在4.2%的晶格失配，這種錯(cuò)位會導(dǎo)致材料缺陷和探測器漏電，讓該技術(shù)在20多年里難以走出實(shí)驗(yàn)室。為了攻克這一難題，團(tuán)隊(duì)在多個(gè)環(huán)節(jié)同時(shí)發(fā)力：設(shè)計(jì)多層漸變緩沖層配合低溫生長技術(shù)，逐步減少原子級失配；采用原位退火和鈍化技術(shù)抑制漏電；通過創(chuàng)新的SPAD結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化電場分布，讓信號更清晰、噪聲更低。

如今，團(tuán)隊(duì)已構(gòu)建起覆蓋“器件設(shè)計(jì)—材料外延—工藝流片—電路匹配—系統(tǒng)驗(yàn)證”的全鏈條自主研發(fā)能力。正在推進(jìn)的硅鍺專用流片線預(yù)計(jì)2026年底建成，將為后續(xù)產(chǎn)品迭代提供快速驗(yàn)證與可控產(chǎn)能支撐。

（記者 王禹涵）