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北理工研發(fā)可見(jiàn)光-短波紅外圖像傳感器,實(shí)現(xiàn)高分辨率
多光譜成像

發(fā)布時(shí)間:2026-1-27     來(lái)源:MEMS    編輯:衡盛楠    審核:張經(jīng)緯 王靜

可見(jiàn)光至短波紅外(350-2500 nm)成像在精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)、醫(yī)療診斷、機(jī)器視覺(jué)等多個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,傳統(tǒng)硅基CMOS圖像傳感器僅能獲取可見(jiàn)光(0.4-0.7 μm)信息,且銦鎵砷等塊體半導(dǎo)體材料無(wú)法實(shí)現(xiàn)硅基電路片上直接集成,導(dǎo)致可見(jiàn)光-短波紅外(RGB-SWIR)光學(xué)信息一體化獲取的圖像傳感器研制受阻,傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片至今尚無(wú)解決方案。針對(duì)以上挑戰(zhàn),新型半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)與發(fā)展為可見(jiàn)光-短波紅外圖像傳感器提供了有前景的替代方案:①有機(jī)光電探測(cè)器在可見(jiàn)光探測(cè)中表現(xiàn)出優(yōu)異的本征光譜選擇性;②膠體量子點(diǎn)(CQDs)則具有尺寸可調(diào)的帶隙,能夠?qū)崿F(xiàn)延伸至短波紅外甚至長(zhǎng)波紅外波段的光譜探測(cè);③其溶液加工的特性,使得片上直接光電集成成為可能。在光譜響應(yīng)范圍方面,CMOS集成式有機(jī)-量子點(diǎn)像素新架構(gòu)展現(xiàn)了超越現(xiàn)有硅基可見(jiàn)光圖像傳感器的顛覆性優(yōu)勢(shì),有望推動(dòng)下一代消費(fèi)電子、工業(yè)檢測(cè)、車(chē)載攝像頭等場(chǎng)景技術(shù)升級(jí)。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,北京理工大學(xué)唐鑫教授、甕康康副研究員團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種硬件-算法協(xié)同設(shè)計(jì)的CMOS集成四通道圖像傳感器,像素陣列為640×512。通過(guò)全聚合物體異質(zhì)結(jié)與HgTe膠體量子點(diǎn)的單片集成,實(shí)現(xiàn)350-2350 nm寬波段高分辨成像。在 “超分辨模式”下,借助融合“通道-空間”注意力機(jī)制的深度學(xué)習(xí)算法,將各光譜通道分辨率從320×256恢復(fù)至640×512,解決了平面集成架構(gòu)的分辨率損失難題。此外,該成像器通過(guò)精確匹配光交聯(lián)動(dòng)力學(xué),實(shí)現(xiàn)了<1%的通道死像元率,且開(kāi)發(fā)的直接光刻工藝具有CMOS兼容能力,確保了器件的高分辨率、無(wú)損片上圖案化及光電集成。這項(xiàng)研究為CMOS集成、多光譜成像、有機(jī)光電探測(cè)器、量子點(diǎn)探測(cè)器及超分辨率重建應(yīng)用鋪平了道路。相關(guān)研究成果以“High-Resolution Multispectral Photovoltaic Imagers from Visible to Short-Wave Infrared”為題發(fā)表在Advanced Science期刊上。論文完成單位包括:北京理工大學(xué)、北京理工大學(xué)長(zhǎng)三角研究院(嘉興)、中芯熱成科技(北京)有限責(zé)任公司、長(zhǎng)春理工大學(xué)及中央民族大學(xué)。

可見(jiàn)光-短波紅外多波段圖像傳感器設(shè)計(jì)

1聚焦多通道圖像傳感器的核心設(shè)計(jì)與制備基礎(chǔ),系統(tǒng)呈現(xiàn)集成架構(gòu)、材料選型、圖案化機(jī)理及CMOS兼容特性。對(duì)比采用可見(jiàn)光圖像傳感器+短波紅外圖像傳感器的分離架構(gòu),這項(xiàng)研究聚焦單一集成芯片設(shè)計(jì),將可見(jiàn)光像素與短波紅外像素集成于單芯片,解決了復(fù)雜分光光路設(shè)計(jì)難題,且通過(guò)直接光刻圖案化工藝,實(shí)現(xiàn)多波段探測(cè)像素單片集成,解決了可見(jiàn)光與短波紅外像素CMOS工藝的兼容性難題。利用圖案化技術(shù),本體異質(zhì)結(jié)(BHJ)及膠體量子點(diǎn)像素可以與讀出電路(ROIC)單片集成,具有640×512像素陣列,像素間距為15 μm

 

可見(jiàn)光-短波紅外多波段焦平面陣列(FPA)圖像傳感器的設(shè)計(jì)

圖案化單元件器件性

能圖2主要展示圖案化后單元像素器件性能表征。非破壞性圖案化方法對(duì)于保持高性能光電探測(cè)器的光電完整性至關(guān)重要。為了評(píng)估光電二極管架構(gòu)中像素圖案化的兼容性,采用有機(jī)異質(zhì)結(jié)和碲化汞量子點(diǎn)作為活性層,制備了單元器件,并對(duì)圖案化前后的電流曲線、響應(yīng)光譜、比探測(cè)率、響應(yīng)度等關(guān)鍵指標(biāo)進(jìn)行了系統(tǒng)表征。

 

2 圖案化單元像素器件性能

可見(jiàn)光-短波紅外多波段圖像傳感器性能表征

所提出的直接光圖案化方法與標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造工藝完全兼容。研究人員將基于聚合物的三色可見(jiàn)光像素與基于碲化汞量子點(diǎn)的短波紅外像素單片集成到同一讀出電路上。這種混合集成策略使得四通道成像器件得以實(shí)現(xiàn),其中可見(jiàn)光和短波紅外像素以2×2陣列排列,每個(gè)子陣列的有效分辨率為320×256

 

可見(jiàn)光-短波紅外多波段圖像傳感器性能表征

可見(jiàn)光-短波紅外四通道成像和超分辨率圖像重建

多通道像素架構(gòu)通過(guò)平面空間劃分實(shí)現(xiàn)了多通道(RGB-SWIR)探測(cè),但同時(shí)也將每個(gè)波段通道的物理分辨率降低至320×256像素。為了克服這一分辨率限制,作者提出了一種用于四通道光譜成像芯片的超分辨率重建方法,構(gòu)建了一個(gè)融合“通道-空間”注意力機(jī)制的特征增強(qiáng)網(wǎng)絡(luò)。為分辨率降低提供了補(bǔ)償策略,為平面集成式多通道圖像傳感器建立了一種高分辨成像新范式,超越光譜通道數(shù)量與空間分辨率之間的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。

 

4 可見(jiàn)光-短波紅外四通道成像和超分辨率圖像重建

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