近年來，耗盡型 MOSFET 日益受到重視，廣泛應用于固態繼電器、“常開”開關、線形運放、恒流源、恒壓源和開關電源等，涵蓋了家用電器、消費電子、工業控制、汽車電子、電信設施和航空航天等領域。

耗盡型 MOSFET 分為兩種類型：

N 溝道耗盡型 MOSFET，即：導電溝道為 N 型，參與導電的主要是電子，以及 P 溝道耗盡型 MOSFET，即：導電溝道為 P 型，參與導電的主要是空穴。由于電子的遷移率遠高于空穴，N 溝道耗盡型 MOSFET 具有更強的電流處理能力，得到了更廣泛地運用。

當柵極-源極電壓 VGS=0V 時，其導電溝道即已存在，器件處于開通狀態。當柵極- 源極電壓 VGSVGS(OFF)（P 溝道），其導電溝道因溝道中的載流子耗盡而消失，器件處于關斷狀態。由于在零柵偏時，器件處于導通狀態，因此耗盡型器件又稱為“常開”（Normally On）器件。圖 1 為 N 溝道耗盡型 MOSFET 的示意圖。

圖 1. N 溝道耗盡型 MOSFET 示意圖

利用耗盡型 MOSFET 的亞閾值特性，我們可以很方便地建立一個簡單的電壓調節器，具有高電壓調節范圍和穩定的電壓輸出。也可以組成一個穩定的恒流源。同時， 這種電壓源或電流源具有極佳的抗干擾能力，能有效地抑制瞬態電壓或浪涌電流。

圖 2. N 溝道耗盡型 MOSFET 組成的高電壓調節器示意圖

如圖 2 所示，當 VDD 增加時，流過電路的電流 IDS 增加，導致耗盡型 MOSFET 源極電位 VS 升高，即VGS 絕對值 ∣ VGS ∣ 增加，并引起器件導電溝道變窄，電流增加減緩。在此過程中負載RL 兩端的電壓VS 無限接近器件的關斷電壓∣VGS（OFF）∣，VS≈∣VGS（OFF）∣，即 VS 鉗位在∣VGS（OFF）∣處，不再隨輸入電壓 VDD 的增加而變化。負載 RL 流過的電流 IL （IL = VS / RL）也不隨輸入電壓 VDD 的增加而變化。

VDD 的最大值 VDD,MAX =BVDSX +∣VGS（OFF）∣

其中，BVDSX 為耗盡型 MOSFET 漏源極之間的擊穿電壓。

由此可以看出利用耗盡型 MOSFET 可以組成一個簡單穩定的高電壓輸入的電壓調節器或電流源，同時具有極佳的瞬態抑制能力。

利用運算放大器或電壓基準源，可以很容易實現指定的輸出電壓。

圖 3. 耗盡型 MOSFET 與運算放大器組成的電壓源示意圖

如圖 3 所示，Vo 與 Vi 具有如下關系：

Vo = Vi × ( 1 + R2/R1 )

因此，通過配置 R2 和 R1 的組合，可以輕松確定負載的工作電壓 Vs： 

Vs =Vo + ∣VGS（OFF）∣

其中， VGS（OFF）為耗盡型 MOSFET 的關斷電壓。

傳感器、變送器一般工作在惡劣環境中，使用耗盡型 MOSFET，不僅實現高電壓供電，而且還能有效抑制浪涌或瞬態干擾，保證系統安全、正常工作。

下面，以一款常用的智能變送器為例簡要說明耗盡型 MOSFET 在工業傳感器、智能變送器中的典型應用。

圖 4. 帶 HART 功能的典型智能變送器示意圖

在圖 4 中，可以選用 DMX1072 或 DMS4022 耗盡型 MOSFET，給環路供電型

4mA~20mA 數模轉換電路 AD421 供電。

DMX1072 采用 SOT-89 封裝，主要參數為：耗散功率 1W，耐壓 100V，飽和電流大于 0.7A，導通電阻最大值 3Ω，如果直接用在 4mA~20mA 供電環路中，可支持高達 24V 的電壓輸入。

DMS4022 采用 SOT-223 封裝，主要參數為：耗散功率 1.5W，耐壓 400V，飽和電流大于 200mA，導通電阻最大值 25Ω左右。采用 DMS4022，支持高達 48V 的高電壓輸入，并同時抑制高達 400V 的瞬態浪涌，對系統實行有效的過壓、過流保護，這對于諸如工業現場、電機控制、變頻調速等復雜電磁環境的應用尤為重要。 汽車中有許多電機，這些感性負載可能產生高達 300V 的電壓瞬態，因此選擇 DMS4022 能有效地防止瞬態干擾和破壞。

成都方舟微電子有限公司是國內唯一一家專注耗盡型 MOSFET 研發生產的具有領先技術的半導體企業，十幾年來，公司以先進的專利技術和豐富的研發經驗，開發了耗盡型 MOSFET 系列產品，以其豐富的產品線和可靠的品質，大量應用于消費電子、家用電器、照明、工業自動化領域。同時公司還以靈活和貼近用戶的方式，為客戶開發定制化解決方案，以滿足客戶的各類需求。

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